三星公布全新3D内存技术 ?zHBM性能约为下一代HBM5的八倍

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三星公布全新3D内存技术 ?zHBM性能约为下一代HBM5的八倍 每经AI快讯，当地时间8月5日，三星电子在美国加州举行的2026年未来存储大会（FMS）上发布了业界首款zHBM概念模型，展示了其对下一代3D存储架构的愿景。zHBM将高带宽内存垂直堆叠在AI加速器之上，其性能约为下一代HBM5的八倍，内存密度也将达到HBM5的十倍以上，同时还支持定制化设计。三星计划在今年下半年提高HBM4的产量。目前尚未公布HBM5的具体时间表。此外，三星还推出了包括zNAND-O和V10BV-NAND架构在内的其他新技术。每日经济新闻